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深圳市大芯超导有限公司

Wolfspeed-CREE碳化硅SiC MOSFET国产替代，英飞凌碳化硅SiC M...

网站公告
BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半导体碳化硅功率器件，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二极管,BASiC SiC碳化硅模块，BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本半导体单管IGBT，BASiC基本半导体IGBT模块，BASiC基本半导体三电平IGBT模块，BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块，BASiC 混合IGBT单管，BASiC 混合IGBT模块，BASiC 三电平IGBT模块。BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管
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第三代碳化硅肖特基二极管
发布时间：2022-08-31        浏览次数：53        返回列表
 基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、南京、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞典皇家理工学院、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。基本半导体掌握领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，累计获得两百余项专利授权，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、碳化硅驱动芯片等，性能达到国际先进水平，服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。
产品型号 封装 电压(V) 电流(A)
B1D02065E TO-252 650 2
B1D02065K TO-220 650 2
B1D04065E TO-252 650 4
B1D04065K TO-220 650 4
B1D04065KF TO-220F 650 4
B2D04065V SMBF 650 4
B2D04065D DFN5*6 650 4
B2D04065K1 TO-220 650 4
B204065KF1 TO-220F 650 4
B2D04065D1 DFN5*6 650 4
B2D04065V1 SMBF 650 4
B1D06065E TO-252 650 6
B1D06065F TO-263 650 6
B1D06065K TO-220 650 6
B1D06065KS TO-220 650 6
B1D06065KF TO-220 650 6
B2D06065K TO-220 650 6
B2D06065E TO-252 650 6
B2D06065Q DFN8*8 650 6
B1D08065E TO-252 650 8
B1D08065F TO-263 650 8
B1D08065K TO-220 650 8
B1D08065KS "TO-220
B1D16065HC TO-247-3 650 16
B2D08065K TO-220 650 8
B2D08065KS "TO-220
B1D10065H TO-247-2 650 10
B1D10065E TO-252 650 10
B1D10065F TO-263 650 10
B1D10065K TO-220 650 10
B1D10065KF TO-220F 650 10
B1D10065KS "TO-220
B1D20065HC TO-247-3 650 20
B2D10065KS "TO-220
B2D10065K TO-220 650 10
B2D10065F TO-263 650 10
B2D10065Q TO-263 650 10
B2D10065K1 TO-220 650 10
B2D20065HC1 TO-247 650 20
B1D12065K TO-220 650 12
B1D15065K TO-220 650 15
B1D30065HC TO-247-3 650 30
B1D30065TF TO-3PF 650 30
B2D15065K TO-220 650 15
B2D30065HC1 TO-247-3 650 30
B1D20065K TO-220 650 20
B1D40065H TO-247-3 650 40
B2D20065K TO-220 650 20
B2D20065H TO-247-2 650 20
B2D40065HC TO-247-3 650 20
B2D20065H1 TO-247-2 650 20
B2D40065HC1 TO-247-3 650 20
B1D02120E TO-252 1200 2
B1D02120K TO-220 1200 2
B2D02120E1 TO-252 1200 2
B2D02120K1 TO-220 1200 2
B1D03120E TO-252 1200 3
B1D05120K TO-220 1200 5
B1D05120E TO-252 1200 5
B1D10120HC TO-247-3 1200 10
B2D05120K1 TO-220 1200 5
B2D05120E1 TO-252 1200 5
B2D10120HC1 TO-247-3 1200 10
B1D16120HC TO-247-3 1200 8
B2D16120HC1 TO-247-3 1200 8
B1D10120E TO-252 1200 10
B1D10120K TO-220 1200 10
B1D10120H TO-247-2 1200 10
B1D10120F TO-263 1200 10
B1D20120HC TO-247-3 1200 20
B2D10120K1 TO-220 1200 10
B2D10120H1 TO-247-2 1200 20
B2D20120HC1 TO-247-3 1200 20
B1D30120HC TO-247-3 1200 30
B2D30120HC1 TO-247-3 1200 30
B2D15120H1 TO-247-2 1200 15
B1D20120H TO-247-2 1200 20
B1D40120HC TO-247-3 1200 40
B1DH20120W TO-247plus  1200 20
B2D20120F1 TO-263 1200 20
B2D20120H1 TO-263 1200 20
B2D40120HC1 TO-247-3 1200 40
B2DH20120W1 TO-247plus  1200 20
B1D30120H TO-247-2 1200 30
B2D30120H1 TO-247-2 1200 30
B1D40120H TO-247-2 1200 40
B2D40120H1 TO-247-2 1200 40
B1M018120HC TO-247-3 1200 100
B1M018120HK TO-247-4 1200 100
B1M032120HC TO-247-3 1200 50
B1M032120HK TO-247-4 1200 50
B1M080120HC TO-247-3 1200 20
B1M080120HK TO-247-4 1200 20
B1M160120HC TO-247-3 1200 10
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管，提供行业标准封装，具有优越的性能和极高的工作效率。
基本半导体推出的第三代碳化硅肖特基二极管有以下优点：
更低VF：第三代二极管具有更低VF，同时VF随温度的增长率也更低，使应用导通损耗更低。
更低QC：第三代二极管具有更低QC，使应用开关损耗更低。
更高性价比：芯片面积减小后，第三代二极管具有更高性价比。
更高产量：使用6英寸晶圆平台，单片晶圆产出提升至4英寸平台的2倍以上。